삼성전자, 엔비디아 GTC 2026에서 HBM4E 공개
국내소식·3시간 전
미국 새너제이에서 개최되고 있는 엔비디아 GTC 2026의 주인공 중 하나는 삼성전자였습니다. 삼성전자는 이번 행사에서 차세대 고대역폭 메모리인 HBM4E 기술력을 공개하는 동시에, 엔비디아의 차세대 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼을 완벽하게 지원하는 메모리 토털 솔루션 공급 역량을 유감없이 선보였습니다.
특히 시장의 이목을 집중시킨 것은 한계를 돌파한 성능입니다. 삼성전자가 공개한 HBM4E는 핀당 16Gbps의 전송 속도와 초당 4.0TB(테라바이트)의 대역폭을 제공할 계획입니다. 이는 지난달 양산을 시작한 6세대 HBM4의 성능(13Gbps, 3.3TB/s)을 훌쩍 뛰어넘는 수치입니다. 삼성전자는 HBM4 양산 과정에서 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기술과 4㎚(나노미터) 베이스 다이 설계 기술을 결합해, 다가오는 올 하반기 HBM4E 샘플을 시장에 공급하며 기술 리더십을 공고히 한다는 전략입니다.
단순한 부품 공급을 넘어선 종합반도체 기업(IDM)으로서의 위상도 빛을 발했습니다. 삼성전자는 이번 전시를 통해 HBM4뿐만 아니라 메모리, 로직 설계, 파운드리, 그리고 첨단 패키징까지 아우르는 통합 솔루션을 강조하며 경쟁사와 차별화된 공급 역량을 증명했습니다.
이러한 삼성전자의 행보에 엔비디아의 젠슨 황 CEO 역시 이례적으로 화답했습니다. 그는 추론 전용 칩인 그록(Groq)3 언어처리장치(LPU)를 발표하는 자리에서 "삼성이 우리를 위해 칩을 제조하고 있다"며 공개적으로 감사의 뜻을 전했습니다. 이 발언을 통해 그록3 LPU가 삼성전자 파운드리 사업부에서 생산되고 있음이 공식 확인되었습니다. 해당 칩은 엔비디아의 차세대 GPU인 루빈과 함께 작동하여 AI 추론 성능과 효율을 극대화하는 핵심 역할을 수행하게 됩니다.
경영진의 자신감도 어느 때보다 확고합니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 현재 생산 현황에 대해 "가파르게 램프업(증산)을 진행 중이며 생산에 큰 문제는 없다"고 밝혔습니다. 특히 그는 "전체 HBM 생산량 중 HBM4의 비중을 절반 이상으로 가져가는 것이 목표"라는 공격적인 가이던스를 제시했습니다. 아울러 공급이 타이트한 현재의 시장 상황을 고려해, 범용 제품보다는 프리미엄 제품에 공급을 집중함으로써 산업 전반의 효율을 높이고 수익성을 극대화하겠다는 청사진을 공유했습니다.
(📷삼성전자)